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中級(jí)電工證考試題目及答案
一、單選題：
1．金屬導(dǎo)體的電阻值隨著溫度的升高而（ ）。 A：增大 B：減少 C：恒定 D：變?nèi)?/p>
2．純電感電路的感抗為（ ）。 A：L B：ωL C：1/ωL D：1/2πfL
3．在正弦交流電阻電路中，正確反映電流電壓的關(guān)系式為（ ）。 A：i=U/R B：i=Um/R C：I=U/R D：I=Um/R
4．在有些情況下為了縮短晶閘管的導(dǎo)通時(shí)間，加大觸發(fā)電流（兩倍以上）這個(gè)電流稱(chēng)為（ ）。 A：觸發(fā)電流 B：強(qiáng)觸發(fā)電流 C：掣位電流 D：導(dǎo)通電流
5．三相負(fù)載接在三相電源上，若各相負(fù)載的額定電壓等于電源線電壓1/ ，應(yīng)作（ ）連接。 A：星形 B：三角形 C：開(kāi)口三角形 D：雙星形
6．單相正弦交流電路中有功功率的表達(dá)式是（ ）。 A：UI B： UI C：UIcosφ D：UIsinφ
7．純電容交流電路中電流與電壓的相位關(guān)系為電流（ ）。 A：超前90° B：滯后90° C：同相 D：超前0~90°
8．兩個(gè)正弦量為u1=36sin(314t+120°)V,u2=36sin(628t+30°)V，則有（ ）。A：u1超前u290° B：u2比u1超前90° C：不能判斷相位差 D：
9．射極輸出器的輸出阻抗（ ），故常用在輸出極。 A：較高 B：低 C：不高不低 D：很高
10．二極管半波整流時(shí)負(fù)載兩端的直流電壓等于（ ）。 A：0.75U2 B： U2 C：0.45U2 D：0.9U2
11．三相變壓器的連接組別是表示（ ）。 A：原付邊線電壓的相位關(guān)系 B：原付邊的同名端關(guān)系 C：原付邊相電壓的時(shí)至中關(guān)系 D：原付邊電流大小關(guān)系
12．射極輸出器的電壓放大倍數(shù)約等于（ ）。 A：80--100 B：1 C：<50
13．晶閘管的控制角越大，則輸出電壓（ ）。A：越高 B：移相位 C：越低 D：越大
14．某正弦交流電壓的初相角中，φU=π/6，在t=0時(shí)，其瞬時(shí)值將（ ）。 A：小于零 B：大于零 C：等于零 D：不定
15．已知msinwt第一次達(dá)到最大值的時(shí)刻是0.005s，則第二次達(dá)到最大值時(shí)刻在（ ）。 A：0.01s B：0.025s C：0.05s D：0.075s
16．U=311sin（314t-15°）伏，則U=（ ）伏。 A：220∠-195° B：220∠1950° C：311∠-15° D：220∠-15°
17．實(shí)際電壓源與實(shí)際電流源的等效互換，對(duì)內(nèi)電路而言是（ ）。 A：可以等效 B：不等效 C：當(dāng)電路為線性時(shí)等效 D：當(dāng)電路為非線性時(shí)等效
19．任一條件具備都可以得到肯定的結(jié)論，這是（ ）邏輯。
A：與 B：或 C：或非 D：非
20．在放大電路中，為了穩(wěn)定輸出電流，應(yīng)引入（ ）。
A：電壓負(fù)反饋 B：電壓正反饋 C：電流負(fù)反饋 D：電流正反饋
21．Z=A+B是（ ）邏輯。
A：與 B：與或非 C：與或非 D：或非
22．在三極管放大電路中，為了增強(qiáng)帶負(fù)載的能力應(yīng)采用（ ）放大電路。
A：共發(fā)射極 B：共基極 C：共集電極 D：共陰極
23．結(jié)論和給定條件相反的邏輯是（ ）。
A：與 B：或 C：與非 D：非
24．已知放大電路中三個(gè)管腳對(duì)地的電位是（1）0V；（2）0.7V；（3）6V，則該三極管是（ ）型。
A：NPN B：PNP C：硅管 D：鍺管
25．放大器采用射極偏置改善工作點(diǎn)偏離的是（ ）。
A：電流正反饋 B：電流負(fù)反饋 C：電壓正反饋 D：電壓負(fù)反饋
26．可控硅的正向阻斷是（ ）。
A：可控硅加小向陽(yáng)極電壓，控制極加反向電壓 B：可控大地加廠向陽(yáng)極電壓，控制極不加反向電壓
C：可控硅加反向陽(yáng)極電壓，控制極加正向電壓 D：可控硅加反向陽(yáng)極電壓，控制極加反向電壓
27．一三相對(duì)稱(chēng)負(fù)載，三角形連接，已知：相電流IBC=10∠-10°安，則線電流I=（ ）安。
A：17.3∠-40° B：10∠-160° C：10∠80° D：17.3∠80°
28．單相半波可控硅整流電路，決定控制角的元件是（ ）。
A：U2 B：U2/2 C： U2 0.45U2
29．所有條件都具備，才有肯定的結(jié)論，這是（ ）邏輯。
A：與非 B：或非 C：與 D：非
30．單相橋式半控整流電路，通過(guò)改變控制角，負(fù)載電壓可在（ ）之間連續(xù)可調(diào)。
A：0~0.45U2 B：0~0.9U2 C：0~U2 D：0~2.34U2
31．已知：I=-14.1sin100πtA，其電流相量I=（ ）A。
A：14.1∠0° B：14.1∠180° C：10∠0° D：10∠-180°
32．可控硅導(dǎo)通條件是( )。
A：陽(yáng)極與陰極加正向電壓，控制極與陽(yáng)極加反向電壓 B：陽(yáng)極與陰極加正向電壓，控制極與陰極加正向電壓
C：陽(yáng)極與陰極加反向電壓，控制極與陽(yáng)極加反向電壓 D：陽(yáng)極與陽(yáng)極加反向電壓，控制極與陰極加正向電壓
33．晶體三極管發(fā)射結(jié)反偏置、集電結(jié)處于偏置，晶體三極管處于（ ）工作狀態(tài)。
A：放大 B：截止 C：飽和 D：開(kāi)路
34．晶體三極管發(fā)射結(jié)處于正偏，集電結(jié)處反偏，則三極管的工作狀態(tài)為（ ）。
A：飽和 B：截止 C：放大 D：導(dǎo)通
35．已知e=311sin (314t+5°)V，其相量E=（ ）。
A：311∠5° B：220∠5° C：220∠+185° D：220∠+175°
36．戴維南定理只適用于（ ）。
A：外部為非線性電路 B：外部為線性電路 C：內(nèi)部為線性含源電路 D：內(nèi)部電路為非線性含源電路
37．可控硅有（ ）PN結(jié)組成。
A：1個(gè) B：2個(gè) C：3個(gè) D：4個(gè)
38．電容器的電流I=CΔUC/Δt，當(dāng)UC增大時(shí)，電容器為（ ）。
A：充電過(guò)程并吸取電能轉(zhuǎn)換為電場(chǎng)能 B：充電過(guò)程并吸取電場(chǎng)能轉(zhuǎn)換為電能
C：放電過(guò)程并由電場(chǎng)能釋放為電能 D：放電過(guò)程并由電能釋放為電場(chǎng)能
39．晶體三極管處于放大工作狀態(tài)，測(cè)得集電極電位為6V，基極電位0.7V，發(fā)射極接地，則該三極管為（ ）型。
A：NPN B：PNP C：N D：P
40．已知：電流I=6+j8，電源頻率為50Hz，其瞬時(shí)值表達(dá)式為I=（ ）。
A：10 sin (314t+53.1°) B：10 sin (314t+36.9°)
C：10sin (314t+53.1°) D：10sin (314t+36.9°)
41．共發(fā)射極放大器，集電極電阻RC的作用是（ ）。
A：實(shí)現(xiàn)電流放大 B：晶體管電流放大轉(zhuǎn)變速器成電壓放大 C：電流放大與電壓放大 D：穩(wěn)定工作點(diǎn)
42．三相電源Y連接，已知UB=220∠-10°伏，其UAB=（ ）伏。
A：220∠20° B：220∠140° C：380∠140° D：380∠20°
43．某正弦交流電壓的初相角φ=-π/6，在t=0時(shí)，其瞬時(shí)值將（ ）。
A：大于零 B：小于零 C：等于零 D：最大值
44．發(fā)生LC串聯(lián)諧振的條件是（ ）。
A：ωL=ωC B：L=C C：ωL=1/ωC D：XL=2πfL
45．若電路中某元件兩端電壓u=100 sin (100πt+50°)V，電流I=10 sin (100πt+140°)A，則該元件是（ ）。
A：電阻 B：電感 C：電容 D：阻容
46．阻容交流電路中電流與電壓的相位關(guān)系是電流（ ）電壓。
A：超前90° B：滯后90° C：同相 D：超前0~90°
二、多選題：
1．在正弦交流電路中，下列公式正確的是（ ）。
A：ic=duc/dt B：Ic=jwcU C：UC=-jwct D：XC=1/wc E：QC=UIsinφ
2．基本邏輯運(yùn)算電路有三種，即為（ ）電路。
A：與非門(mén) B：與門(mén) C：非門(mén) D：或非門(mén) E：或門(mén)
3．對(duì)于三相對(duì)稱(chēng)交流電路，不論星形或三角形接法，下列結(jié)論正確的有（ ）。
A：P=3UmImcosφ B：S= 3UmIm C：Q= U1I1sinφ D：S= E：S=3UI
4．多級(jí)放大器極間耦合形式是（ ）。
A：二極管 B：電阻 C：阻容 D：變壓器 E：直接
5．電子電路最基本的邏輯電路是（ ）。
A：與門(mén) B：非門(mén) C：與非 D：或門(mén) E：異或
6．基爾霍夫定律有（ ）。
A：節(jié)點(diǎn)電流定律 B：回路電壓定律 C：以路電流定律 D：節(jié)點(diǎn)電壓定律
7．正弦交流電的三要素是（ ）。
A：最大值 B：初相角 C：角頻率 D：串聯(lián) E：并聯(lián)
8．我國(guó)規(guī)定三相電力變壓器的聯(lián)結(jié)組別有（ ）等。
A：Y/Δ-11 B：Y0/Δ-11 C：Y0/Y-12D：Y/Y-12 E：Y/Δ-7
9．人為提高功率因數(shù)的方法有（ ）。
A：并聯(lián)適當(dāng)電容器 B：電路串聯(lián)適當(dāng)電容器 C：并聯(lián)大電抗器 D：串聯(lián)大電容器 E：串聯(lián)適當(dāng)?shù)碾姼辛?/p>
10．三相負(fù)載對(duì)稱(chēng)是（ ）。
A：各相阻抗值相等 B：各相阻抗值差 C：各相阻抗復(fù)角相差120° D各相阻抗值復(fù)角相等 E：各相阻抗復(fù)角相差180°
11．晶閘管導(dǎo)通條件是（ ）。
A：陽(yáng)極與陰極之間加正向電壓 B：陽(yáng)極與陰極之間加反向電壓
C：控制極與陰極之間加正向電壓 D：控制極與陰極之間加反向電壓 E：陽(yáng)極與控制極間加正向電壓
12．正弦交流電路，下列方程哪些是正確的？（ ）
A：IL=U/XL B篣C=Xcic C：U=Ri D：X=X1+X2+X3 E：Z=Z1+Z2+Z3
13．交流電用相量表示稱(chēng)符號(hào)法有幾種形式？（ ）
A：代數(shù)式 B：三角式 C：幾何式 D：指數(shù)式 E：極坐標(biāo)式
14．提高功率因數(shù)的好處有（ ）。
A：可以充分發(fā)揮電源設(shè)備容量 B：可以提高電動(dòng)機(jī)的出力 C：可以減少線路功率損耗
D：可以減少電動(dòng)機(jī)的啟動(dòng)電流 E：可以提高電機(jī)功率
15．電橋外接電源時(shí)過(guò)高過(guò)低會(huì)產(chǎn)生（ ）現(xiàn)象。
A：損壞電阻 B：降低靈敏度 C：降低精確度 D：無(wú)法調(diào)零 E：讀數(shù)不準(zhǔn)
16．關(guān)斷晶閘管的方法有（ ）。
A：切斷控制極電壓 B：斷開(kāi)陽(yáng)極電源 C：降低正向陽(yáng)極電壓 D：給陽(yáng)極加反向電壓 E：減少控制極電流
17．三根電源作Y連接時(shí)，線電壓與相電壓的（ ）倍，且線電壓超前相電壓（ ）。
A： B： C：60° D：30° E：90°
18．一三相對(duì)稱(chēng)感性負(fù)載，分別采用三角形和Y形接到同一電源上，則有以下結(jié)論：（ ）
A：負(fù)載相電壓：UΔ相=3UY相 B：線電流：IΔ相=3IY C：功率：PΔ=3PY D：相電流：IIΔ相= IY E：承受的相電壓相同
19．在電力系統(tǒng)中，采用并聯(lián)補(bǔ)償電容器進(jìn)行無(wú)功補(bǔ)償主要作用有（ ）。
A：提高功率因數(shù) B：提高設(shè)備出力 C：降低功率損耗和電能損失 D：改善電壓質(zhì)量 E：改善架空線路的防雷性能
20．RLC串聯(lián)的正弦交流電路中，當(dāng)XL=XC時(shí)，電路發(fā)生諧振，諧振特性有（ ）。
A：電容上電壓與電感上電壓大小相等，方向相反 B：電路中電流最大 C：電路中阻抗最小
D：電路中無(wú)功功率為0 E：電阻上電壓與外加電壓大小相等，方向相反
21．單相變壓器連接組的測(cè)定方法有（ ）。
A：直流法 B：電阻法 C：交流法 D：功率測(cè)量法 E：交流電流法
22．戴維南定理適用外部電路為（ ）電路。
A：線性 B：整流 C：放大 D：非線性 E：飽和
23．已知放大電路中三極管三個(gè)管腳對(duì)地電位是（1）0V，（2）0.7V，（3）6V。該三極各管腳對(duì)應(yīng)的電場(chǎng)是（ ）。
A：（1）是基極 B：（2）是基極 C：（1）是發(fā)射極 D：（3）是集電極 E：（3）是發(fā)射極
24．三極管的極限參數(shù)主要有（ ）。
A：集電極最大允許電流ICM B：集—射極擊穿電壓（基極開(kāi)路）UCEO C：集電極—基極反向飽和電流ICBO
D：穿透電流ICEO E：集電極最大允許耗散功率PCN
25．放大電路的三種組態(tài)是（ ）。
A：共發(fā)射極放大 B：共集電極放大 C：飽和 D：截止 E：共基極放大
26．設(shè)三相正弦交流電的ia=Imsinωt，則ib為（ ）。
A：ib=Imsin (ωt -120°) B：ib=Imsin (ωt +240°)
C：ib=Imsin (ωt -240°) D：ib=Imsin (ωt +120°) E：ib=Imsin (ωt ±0°)
27．三極管的三種工作狀態(tài)是（ ）。
A：開(kāi)路 B：放大 C：截止 D：短路 E：飽和
28．晶閘管的阻斷作用有（ ）。
A：正向阻斷 B：反向阻斷 C：正向偏置 D：反向偏置 E：門(mén)極偏置
29．提高功率因數(shù)的意義有（ ）。
A：充分利用設(shè)備容量 B：提高供電質(zhì)量 C：線路功率和電壓損耗減小 D：節(jié)約經(jīng)濟(jì)開(kāi)支 E：節(jié)省線路投資
30．放大電路的三種組態(tài)是（ ）。
A：低頻放大器 B：共集極放大器 C：共基極放大器 D：多極放大器 E：共發(fā)射極放大器
三、判斷題：
1．功率因數(shù)無(wú)是負(fù)載電路中電壓U與電流I的相位之差，它越大，功率因數(shù)越�。� ）
2．TTL集成電路的全稱(chēng)是晶體管—晶體管邏輯集成電路。 （ ）
3．當(dāng)三極管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于正偏狀態(tài)時(shí)，三極管一定工作在飽和區(qū)（ ）
4． 晶體三極管放大器，為了消除濕度變化的影響，一般采用固定偏置電路。（ ）
5．可控硅整流電路中，對(duì)觸發(fā)脈沖有一定的能量要求，如果脈搏沖電流太小，可控硅也無(wú)法導(dǎo)通。 （ ）
6．兩個(gè)不同頻率的正弦量在相位上的差叫相位差（ ）
7．并聯(lián)電容器可以提高感性負(fù)載本身的功率因數(shù)。 （ ）
8．疊加原理只能用嚴(yán)寒計(jì)算電壓電流，不能用來(lái)計(jì)算電路的功率（ ）
9．晶閘管控制角越大電壓則越高。 （ ）
10．某電氣元件兩端交流電壓的相位超前于流過(guò)它上面的電流，則該元件為容性 負(fù)載（ ）
11．晶閘管的導(dǎo)通條件是晶閘管加正向電壓門(mén)極加反向電壓。 （ ）
12．晶閘管具有正反向阻斷能力。（ ）
13．電感元件在電路中不消耗能量，它是無(wú)功負(fù)荷。（ ）
14．所謂部分電路歐姆定律，其部分電路是指不含電源的電路（ ）
15．線圈中磁通產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)與磁通成正比。（ ）
16．射極輸出器不僅能作電壓放大器，主要是為了增加輸入阻抗，減低輸出阻抗。（ ）
17．晶閘管觸發(fā)電路的脈沖前沿要陡，前沿上升時(shí)間不超過(guò)100μs。 （ ）
18．單結(jié)晶體管具有一個(gè)發(fā)射極、一個(gè)基極、一個(gè)集電極。 （ ）
19．單結(jié)晶體管的發(fā)射極電壓高于谷點(diǎn)電壓時(shí)，晶體管就導(dǎo)通。 （ ）
20．純電感負(fù)載功率因數(shù)為零，純電容負(fù)載功率因數(shù)為1。
訓(xùn)練答案
一、單選題：
1 A 2 B 3 C 4 B 5 A 6 C 7 A 8 C 9 B 10 C 11 A 12 B 13C 14 B 15 B 16 D 17 B 18 C 19 B 20 C
21 D 22 C 23 D 24 A 25 B 26 B 27 D 28 29 C 30 B 31 D 32 B 33 B 34 C 35 D 36 C 37 C 38 A 39 A 40 A
41 B 42 C 43 B 44 C 45 C 46 D
二、多選題：
1 BDE 2 BCE 3 ABCD 4 CDE 5 ABD 6 AB 7 ABC 8 ABCD 9 AB 10AD
11 AC 12 ACDE 13 ABCDE 14 AC 15 ABC 16 BCD 17 AD 18 BCD 19 ABCD 20 ABCD
21 AC 22 AD 23 BCD 24 ABCE 25 ABD 26 AB 27 BCE 28 AB 29 AC 30 BCE
三、判斷題：
1√ 2√ 3√ 4× 5√ 6× 7× 8√ 9× 10× 11× 12√ 13√ 14√ 15√ 16× 17× 18× 19× 20×
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